澜语墨那边继续的薅羊毛,纳斯达克提款机还在源源不断的为未来投资提供资金。
而张京呆在燕京的这两天也接到了一个消息,林本健愿意做新公司的项目顾问。
林晓听到这个消息,无疑是大喜。
在后世的芯片制造行业,林本健绝对是个赫赫有名的人物。
上世纪的最后二十年,岛国一直是半导体行业的绝对霸主,他们掌握了半导体行业众多关键技术与产品,其中一个很重要的就是光刻机。
尼康和佳能的光刻机占据了市场上很大的份额,即便光刻机大国米国也被他们拉下马。
尤其是尼康,是当之无愧的行业巨头。
因为光刻机的本质与投景仪+照相机差不多,以光为刀,将设计好的电路图投射到硅片上。
在那个芯片制程还停留在微米的时代,能做光刻机的企业,有数十家,而尼康凭借着相机时代的积累,在岛国半导体产业全面崛起的年代,成长为了光刻机行业的巨头。
毫不夸张的说,当时的英特尔、IBM、AMD、德州仪器等半导体大厂,每天排队堵在尼康门口等待最新产品下线的热情,与后世大家眼巴巴等着阿斯麦EUV光刻机交货的迫切程度相差无几。
而到了后面,之所以行业的巨头成为了阿斯麦,始于21世纪初的157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法的技术之争。
进入90年代,光刻机的光源波长被限制死在193nm,成为了摆在全产业面前的一道难关。
光刻机的光源就相当于刻刀,要雕刻的更精细,刀尖就得锋利,而当刀尖技术卡住了,也意味着芯片制造技术面临瓶颈。
以尼康为代表的公司主张采用157nm的F2激光,继续研究光源技术。
米国的一些公司则是押注更激进的极紫外技术,也就是后世赫赫有名的EUV光刻,试图直接用十几纳米的极紫外光来做光源。
但是两者的需要克服的障碍都很多,进程非常慢。
前一世的2002年,鬼才林本健横空出世,他在一次交流会上,首次提出“沉浸式光刻”方案。
他的理论听起来很简单,就是利用水会影响光的折射率这一高中知识,在透镜和硅片之间加一层水,这样原有的193nm激光经过折射,不就直接越过了157nm的瓶颈,降低到了132nm吗?
随后,林本健带着他的沉浸式光刻方案前往米国、岛国、德国等地,游说各家半导体巨头,但都吃了闭门羹。
在这些巨头门看来,这只是理想情况,在精密的机器中加水构建浸润环境,既要考虑实际性能,又要担心污染,如果在这种“替代方案”花费精力,耽误了光源的研究,就有可能被对手反超。
因为林本健的这个想法太过简单或者说太过理想化,而且等于否
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